أعلن فريق من جامعة بكين عن إنجاز غير مسبوق في تكنولوجيا أشباه الموصلات، حيث تمكنوا من تطوير ترانزستور ثنائي الأبعاد يُعد أسرع بنسبة 40% من أحدث رقائق السيليكون بتقنية 3 نانومتر من إنتل وTSMC، مع استهلاك طاقة أقل بنسبة 10%.
ويعتمد الابتكار الجديد على ترانزستور قائم على البزموت، الذي يُظهر تفوقًا واضحًا مقارنةً بالرقائق التجارية الرائدة في السوق، مثل إنتل، TSMC، وسامسونغ. وعلى عكس التصاميم التقليدية القائمة على السيليكون، التي تعاني من صعوبات في التصغير وكفاءة الطاقة، يفتح هذا التصميم الجديد آفاقًا جديدة في صناعة الرقائق الإلكترونية.
وأشار بنغ هايلين، أستاذ الكيمياء الفيزيائية في جامعة بكين، إلى أن هذا الابتكار يمثل “تغييرًا جذريًا في صناعة الرقائق”، حيث يمكنه تجاوز التحديات التقليدية التي تواجهها التكنولوجيا القائمة على السيليكون. كما أكد أن العقوبات الأمريكية على تصدير التقنيات المتقدمة دفعت الباحثين الصينيين إلى ابتكار حلول جديدة بدلًا من الاعتماد على التقنيات الغربية.
ورغم أن هذا التطور جاء كرد فعل على القيود المفروضة، إلا أنه قد يمنح الصين ميزة استراتيجية في سباق أشباه الموصلات، مما قد يعيد تشكيل خريطة المنافسة العالمية في صناعة الرقائق خلال السنوات المقبلة.